氧化锌（ZnO）晶体随着环境条件的改变形成不同结构的晶体。ZnO晶体中的化学键既有离子键的成分，氧化锌晶体单晶厂，又有共价键的成分，两种成分的含量差不多，因而使得ZnO晶体中的化学键没有离子晶体那么强，导致其在一定的外界条件下更容易发生晶体结构上的改变。氧化锌（ZnO）半导体室温带隙为3.37eV，氧化锌晶体单晶价钱，且束缚激子能高达60MeV，使其在紫外半导体光电器件方面具有很大潜在应用价值。诱人的应用前景和制备难度使得ZnO晶体的生长技术成为材料研究的热点。

氧化锌（ZnO）晶体在1975℃同成分熔化，在较高的温度下非常不稳定，氧化锌晶体单晶批发，不容易由熔体直接生长。目前主要是在尽可能低的温度下用化学气相输运法、水热法和助熔剂法生长。氧化锌（ZnO）是一致熔融化合物，昆明氧化锌晶体单晶，熔点为1975℃。目前，氧化锌（ZnO）晶体体单晶的生长方法主要有缓慢冷却法、水热法和气相生长法。采用水热法，可以从KOH和LiOH混合水溶液中生长ZnO晶体。

众所周知氧化锌（ZnO）作为宽禁带半导体材料，具有纤锌矿结构，在室温下具有较强的激光发射性能，在光学、电学、磁学、催化以及传感器等方面具有广阔的应用前景，特殊形貌的氧化锌在上述诸多方面的优异性能正在被开发，为此，各种形貌氧化锌晶体的可控制备研究引起了人们的广泛兴趣。氧化锌（ZnO）晶体在1975℃同成分熔化，在较高的温度下非常不稳定，不容易由熔体直接生长。目前主要是在尽可能低的温度下用化学气相输运法、水热法和助熔剂法生长。

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