氧化镁（MgO）是离子化合物，同样也是离子晶体，虽然一般来说，原子晶体的熔点的确比离子晶体高，键能较低的原子晶体熔点明显比键能高的离子晶体低。因为氧化镁是由氧离子和镁离子通过离子键结合成的.。对天然菱镁矿的加热得到氧化镁（MgO），再将其加入到电弧炉中，加热到2800°C以上，会生长出氧化镁（MgO）晶体。氧化镁（MgO）单晶是非常重要的基片材料和光学材料，在很多领域有重要的应用。 

氧化镁（MgO）是离子化合物，氧化镁晶体衬底基片，同样也是离子晶体，氧化镁晶体单晶供应商，虽然一般来说，原子晶体的熔点的确比离子晶体高，氧化镁晶体，但是这并不绝1对，键能较低的原子晶体熔点明显比键能高的离子晶体低。因为氧化镁是由氧离子和镁离子通过离子键结合成的.。单晶氧化镁是指MgO含量在99.95%以上，具有极强的耐高低温（高温2500℃，低温-270℃）抗腐蚀性、绝缘性和良好的导热性和光学性能、无色透明的晶体。

氧化镁(MgO)单晶基片是高频微波器件高温超导薄膜zui常选用的主要衬底材料之一， 也是当前可实现产业化的重要的高温超导薄膜基片。目前生产氧化镁(MgO)晶体的主流技术是电弧炉熔融法。主要通过高温电弧作热源在原料中心形成熔体，在加热过程停止后熔体经自然冷却得到晶体。具有岩盐晶体结构的氧化镁(MgO)是一种宽禁带氧化物绝缘体，带隙Eg为7.8 eV。优良的绝缘性、热传导性、热稳定性等特点使得MgO具有十分广泛的应用。

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