众所周知氧化锌（ZnO）作为宽禁带半导体材料，具有纤锌矿结构，氧化锌晶体单晶，在室温下具有较强的激光发射性能，在光学、电学、磁学、催化以及传感器等方面具有广阔的应用前景，特殊形貌的氧化锌在上述诸多方面的优异性能正在被开发，为此，各种形貌氧化锌晶体的可控制备研究引起了人们的广泛兴趣。氧化锌（ZnO）晶体在1975℃同成分熔化，在较高的温度下非常不稳定，氧化锌晶体单晶衬底，不容易由熔体直接生长。目前主要是在尽可能低的温度下用化学气相输运法、水热法和助熔剂法生长。

氧化锌（ZnO）晶体随着环境条件的改变形成不同结构的晶体。ZnO晶体中的化学键既有离子键的成分，又有共价键的成分，两种成分的含量差不多，因而使得ZnO晶体中的化学键没有离子晶体那么强，氧化锌晶体单晶供应商，导致其在一定的外界条件下更容易发生晶体结构上的改变。氧化锌（ZnO）半导体室温带隙为3.37eV，且束缚激子能高达60MeV，氧化锌晶体单晶价钱，使其在紫外半导体光电器件方面具有很大潜在应用价值。诱人的应用前景和制备难度使得ZnO晶体的生长技术成为材料研究的热点。

氧化锌（ZnO）是Ⅱ-Ⅵ族纤锌矿结构的半导体材料，禁带宽度为3.37eV；另外，其激子束缚能(60meV)比GaN(24meV)、ZnS(39meV)等材料高很多，如此高的激子束缚能使它在室温下稳定，不易被激发(室温下热离化能为26meV)，降低了室温下的激1射阈值，提高了ZnO材料的激发效率。基于这些特点，ZnO材料既是一种宽禁带半导体，又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。

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