氧化锌(ZnO)单晶是具有半导体、发光、压电、电光等多种用途的功能晶体材料。不仅可用于制作紫外光电器件,也是高1性能的移动通讯基片材料和优1秀的闪烁材料;此外,氧化锌(ZnO)与GaN的晶格失配度特别小,天津氧化锌晶体单晶,是GaN外延生长zui理想的衬底材料。氧化锌(ZnO)具有高熔点、高挥发性和强极性等特征,使得晶体生长十分困难。目前ZnO晶体生长技术主要有助熔剂法、水热法、气相法等几种。
众所周知氧化锌(ZnO)作为宽禁带半导体材料,氧化锌晶体单晶供应商,具有纤锌矿结构,在室温下具有较强的激光发射性能,氧化锌晶体单晶厂家,特殊形貌的氧化锌在上述诸多方面的优异性能正在被开发,氧化锌晶体单晶价钱,为此,各种形貌氧化锌晶体的可控制备研究引起了人们的广泛兴趣。目前,生长氧化锌(ZnO)单晶体的方法有CvT、助熔剂法、溶液法和水热法。采用水热法已经生长出2~3英寸的ZnO晶体,这证明水热法是一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶体的有效的方法。
氧化锌(ZnO) 是很好的GaN薄膜衬底材料,具有60mev的激子束缚能以及室温下3.73ev带宽使之成为紫外以及可见光发光材料.同时由于具有可见区透明,机电耦合系数大,能使气体分子在其表面的吸附-解析等性质,有望在高峰值能量的能量限制器、大直径高质量的GaN的衬底、未来的5GHz之外的无线通信、高电场设备、高温高能电子器件、高电场设备、高温高能电子器件等方面得到广泛应用。
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