氧化锌（ZnO）半导体室温带隙为3.37eV，氧化锌晶体单晶，且束缚激子能高达60MeV，氧化锌晶体，使其在紫外半导体光电器件方面具有很大潜在应用价值。诱人的应用前景和制备难度使得ZnO晶体的生长技术成为材料研究的热点。众所周知氧化锌（ZnO）作为宽禁带半导体材料，具有纤锌矿结构，在室温下具有较强的激光发射性能，氧化锌晶体单晶基片，在光学、电学、磁学、催化以及传感器等方面具有广阔的应用前景。

氧化锌（ZnO）晶体随着环境条件的改变形成不同结构的晶体。ZnO晶体中的化学键既有离子键的成分，又有共价键的成分，两种成分的含量差不多，因而使得ZnO晶体中的化学键没有离子晶体那么强，导致其在一定的外界条件下更容易发生晶体结构上的改变。氧化锌（ZnO）半导体室温带隙为3.37eV，且束缚激子能高达60MeV，使其在紫外半导体光电器件方面具有很大潜在应用价值。诱人的应用前景和制备难度使得ZnO晶体的生长技术成为材料研究的热点。

氧化锌(ZnO) 是很好的GaN薄膜衬底材料，具有60mev的激子束缚能以及室温下3.73ev带宽使之成为紫外以及可见光发光材料．同时由于具有可见区透明，氧化锌晶体单晶批发，机电耦合系数大，能使气体分子在其表面的吸附－解析等性质，有望在高峰值能量的能量限制器、大直径高质量的GaN的衬底、未来的5GHz之外的无线通信、高电场设备、高温高能电子器件、高电场设备、高温高能电子器件等方面得到广泛应用。

氧化锌晶体单晶批发-氧化锌晶体-合肥合瑞达由合肥合瑞达光电材料有限公司提供。合肥合瑞达光电材料有限公司（www.hfheruida.com）为客户提供“单晶衬底晶片”等业务，公司拥有“合瑞达”等品牌，专注于液晶器件等行业。欢迎来电垂询，联系人：华经理。