众所周知氧化锌（ZnO）作为宽禁带半导体材料，具有纤锌矿结构，氧化锌晶体单晶批发，在室温下具有较强的激光发射性能，特殊形貌的氧化锌在上述诸多方面的优异性能正在被开发，为此，各种形貌氧化锌晶体的可控制备研究引起了人们的广泛兴趣。目前，生长氧化锌（ZnO）单晶体的方法有CvT、助熔剂法、溶液法和水热法。采用水热法已经生长出2~3英寸的ZnO晶体，这证明水热法是一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶体的有效的方法。

氧化锌（ZnO）的带边发射在紫外区，氧化锌晶体单晶衬底基片，非常适宜作为白光LED的激发光源材料，凸显了氧化锌（ZnO）在半导体照明工程中的重要地位，氧化锌晶体衬底基片，并且与SiC、GaN等其它的宽带隙材料相比，氧化锌（ZnO）具有资源丰富、价格低廉、高的化学和热稳定性，更好的抗辐照损伤能力，适合做长寿命器件等多方面的优势。此外，氧化锌（ZnO）与GaN的物理性能非常接近，其晶格失配度很小，是GaN晶体生长zui理想的衬底材料。

氧化锌（ZnO）晶体具有四种晶体结构，闪锌矿结构(与金刚石类似，可看成氧原子FCC排列，乌鲁木齐氧化锌晶体，4个锌原子占据金刚石中晶胞内四个碳原子的位置);NaC结构;CsCl结构(氧原子简单立方排列，锌原子占据体心位置);纤锌矿结构(六方结构，氧原子层和锌原子层呈六方紧密排列)。氧化锌（ZnO）与GaN的物理性能非常接近，其晶格失配度很小，是GaN晶体生长zui理想的衬底材料。

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