氧化锌（ZnO）晶体随着环境条件的改变形成不同结构的晶体。ZnO晶体中的化学键既有离子键的成分，又有共价键的成分，ZnO晶体基片，两种成分的含量差不多，因而使得ZnO晶体中的化学键没有离子晶体那么强，导致其在一定的外界条件下更容易发生晶体结构上的改变。氧化锌（ZnO）半导体室温带隙为3.37eV，且束缚激子能高达60MeV，ZnO晶体基片哪家好，使其在紫外半导体光电器件方面具有很大潜在应用价值。诱人的应用前景和制备难度使得ZnO晶体的生长技术成为材料研究的热点。

氧化锌（ZnO）半导体室温带隙为3.37eV，南昌ZnO晶体，且束缚激子能高达60MeV，使其在紫外半导体光电器件方面具有很大潜在应用价值。诱人的应用前景和制备难度使得ZnO晶体的生长技术成为材料研究的热点。众所周知氧化锌（ZnO）作为宽禁带半导体材料，ZnO晶体价格，具有纤锌矿结构，在室温下具有较强的激光发射性能，在光学、电学、磁学、催化以及传感器等方面具有广阔的应用前景。

氧化锌（ZnO）晶体主要性能参数：透过范围：0.4-0.6 um > 50% at 2mm；晶向：<0001>、<11-20>、<10-10>±0.5o 尺寸（mm） 25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底；表面粗糙度：Surface roughness(Ra):<=5A可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告抛光：单面或双面；包装：100 级洁净袋，1000 级超净室。

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