众所周知氧化锌(ZnO)作为宽禁带半导体材料,具有纤锌矿结构,在室温下具有较强的激光发射性能,新疆氧化锌晶体,特殊形貌的氧化锌在上述诸多方面的优异性能正在被开发,为此,各种形貌氧化锌晶体的可控制备研究引起了人们的广泛兴趣。目前,生长氧化锌(ZnO)单晶体的方法有CvT、助熔剂法、溶液法和水热法。采用水热法已经生长出2~3英寸的ZnO晶体,氧化锌晶体单晶衬底基片,这证明水热法是一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶体的有效的方法。
氧化锌(ZnO)晶体主要性能参数:晶体结构:六方;晶格常数:a=3.252A c=5.313 A;密度:5.7(g/cm3);硬度:4(mohs);熔点:1975℃;热膨胀系数:6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c;热 容:0.125 cal /g.m;热电常数:1200 mv/k @ 300 ℃;热 导:0.006 cal/cm/k。采用化学气相法在加热温度为300~500℃下进行试验,加热温度对氧化锌(ZnO)晶体的外观形貌有很重要的影响。
众所周知氧化锌(ZnO)作为宽禁带半导体材料,具有纤锌矿结构,在室温下具有较强的激光发射性能,在光学、电学、磁学、催化以及传感器等方面具有广阔的应用前景,特殊形貌的氧化锌在上述诸多方面的优异性能正在被开发,氧化锌晶体衬底基片,为此,各种形貌氧化锌晶体的可控制备研究引起了人们的广泛兴趣。氧化锌(ZnO)晶体在1975℃同成分熔化,在较高的温度下非常不稳定,不容易由熔体直接生长。目前主要是在尽可能低的温度下用化学气相输运法、水热法和助熔剂法生长。
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