氧化锌（ZnO）晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能IBⅥA族半导体材料，北京氧化锌晶体，具有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。氧化锌（ZnO）晶体主要性能参数：晶体结构：六方；晶格常数：a=3.252A c=5.313 A；密度：5.7（g/cm3）；硬度：4（mohs）；熔点：1975℃；热膨胀系数：6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c；热 容：0.125 cal /g.m；热电常数：1200 mv/k @ 300 ℃；热 导：0.006 cal/cm/k。

氧化锌（ZnO）晶体主要性能参数：透过范围：0.4-0.6 um > 50% at 2mm；晶向：<0001>、<11-20>、<10-10>±0.5o 尺寸（mm） 25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm可按照客户需求，氧化锌晶体批发，定制特殊方向和尺寸的衬底；表面粗糙度：Surface roughness(Ra):<=5A可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告抛光：单面或双面；包装：100 级洁净袋，1000 级超净室。

氧化锌（ZnO）晶体主要性能参数：晶体结构：六方；晶格常数：a=3.252A c=5.313 A；密度：5.7（g/cm3）；硬度：4（mohs）；熔点：1975℃；热膨胀系数：6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c；热 容：0.125 cal /g.m；热电常数：1200 mv/k @ 300 ℃；热 导：0.006 cal/cm/k。采用化学气相法在加热温度为300~500℃下进行试验，加热温度对氧化锌（ZnO）晶体的外观形貌有很重要的影响。

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