氧化锌（ZnO）单晶已被应用于表面声波(SAW)器件、气敏元件、压电元件、透明导 电体、压敏电阻等众多方面。作为氧化锌单晶的培养方法，湖南氧化锌晶体，已知有利用水热合成法的培养方法。水热合成法是 在高温高压的原料水溶液中培养晶体的方法，氧化锌晶体单晶，是利用由温差引起的过饱和度使晶体在晶种 上析出的方法。氧化锌（ZnO）晶体有三种结构∶六边纤锌矿结构、立方闪鋅矿结构，以及比较罕见的氯化钠式八面体结构。

生长氧化锌（ZnO）的方法有助熔剂法、水热法、气相法和坩埚下降法等等，氧化锌晶体单晶批发，但所生长的氧化锌（ZnO）单晶的尺寸和质量都有待于提高.由于水热法生长氧化锌（ZnO）晶体时，需使用高浓度的碱溶液作矿化剂，因此有必要使用贵1金属衬套管以保护高压釜反应腔内壁，氧化锌晶体单晶厂家，以免遭受碱液的腐蚀。目前，生长氧化锌（ZnO）单晶体的方法有CvT、助熔剂法、溶液法和水热法。采用水热法已经生长出2~3英寸的ZnO晶体，这证明水热法是一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶体的zui有效的方法。

氧化锌（ZnO）晶体主要性能参数：透过范围：0.4-0.6 um > 50% at 2mm；晶向：<0001>、<11-20>、<10-10>±0.5o 尺寸（mm） 25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底。氧化锌（ZnO）半导体室温带隙为3.37eV，且束缚激子能高达60MeV，使其在紫外半导体光电器件方面具有很大潜在应用价值。诱人的应用前景和制备难度使得ZnO晶体的生长技术成为材料研究的热点。

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