透明MgO单晶的熔点高达2800℃，北京氧化镁晶体，是无残留气孔的高致密性材料。因其光透过率、折射率、热导率、电绝缘性、化学稳定性、机械强度等方面性能优异，具有广泛的用途。氧化镁单晶在许多高技术领域的研究和生产中有着独特的优势，氧化镁晶体批发，其中，氧化镁晶体衬底基片，大尺寸氧化镁单晶体以及以此为基础做成的高温超导基片及双面膜为参与国际高科技竟争的关键产品。

在高温超导领域，氧化镁(MgO)晶体作为薄膜生长基片和半导体材料的衬底驻基片同其它材料相比(如金刚石、白蓝宝石等)具有明显的价格优势，且性能良好。主要性能参数 生长方法：弧熔法；晶体结构：立方；晶格常数：a=4.130 A；熔点（℃）：2800；纯度：99.95%；密度（g/cm3）：3.58；硬度：5.5（mohs）；热膨胀系数（/℃）：11.2x10-6；晶体解理面：<100>；光学透过：>90%（200~400nm），>98%（500~1000nm）；介电常数：ε= 9.65；热导率（卡／度 厘米 秒）：0.14  300°K。

氧化镁(MgO)单晶基片是高频微波器件高温超导薄膜zui常选用的主要衬底材料之一， 也是当前可实现产业化的重要的高温超导薄膜基片。目前生产氧化镁(MgO)晶体的主流技术是电弧炉熔融法。主要通过高温电弧作热源在原料中心形成熔体，在加热过程停止后熔体经自然冷却得到晶体。具有岩盐晶体结构的氧化镁(MgO)是一种宽禁带氧化物绝缘体，带隙Eg为7.8 eV。优良的绝缘性、热传导性、热稳定性等特点使得MgO具有十分广泛的应用。

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