众所周知氧化锌（ZnO）作为宽禁带半导体材料，具有纤锌矿结构，氧化锌晶体单晶，在室温下具有较强的激光发射性能，在光学、电学、磁学、催化以及传感器等方面具有广阔的应用前景，特殊形貌的氧化锌在上述诸多方面的优异性能正在被开发，为此，各种形貌氧化锌晶体的可控制备研究引起了人们的广泛兴趣。氧化锌（ZnO）晶体在1975℃同成分熔化，在较高的温度下非常不稳定，不容易由熔体直接生长。目前主要是在尽可能低的温度下用化学气相输运法、水热法和助熔剂法生长。

生长氧化锌（ZnO）的方法有助熔剂法、水热法、气相法和坩埚下降法等等，但所生长的氧化锌（ZnO）单晶的尺寸和质量都有待于提高.由于水热法生长氧化锌（ZnO）晶体时，需使用高浓度的碱溶液作矿化剂，氧化锌晶体单晶厂家，因此有必要使用贵1金属衬套管以保护高压釜反应腔内壁，氧化锌晶体单晶厂，以免遭受碱液的腐蚀。目前，生长氧化锌（ZnO）单晶体的方法有CvT、助熔剂法、溶液法和水热法。采用水热法已经生长出2~3英寸的ZnO晶体，这证明水热法是一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶体的zui有效的方法。

目前，氧化锌晶体单晶价钱，生长氧化锌（ZnO）单晶体的方法有CvT、助熔剂法、溶液法和水热法。采用水热法已经生长出2~3英寸的ZnO晶体，这证明水热法是一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶体的zui有效的方法。基于氧化锌（ZnO）的紫外激光器的实现掀起了对于传统的纤锌矿结构的半导体氧化锌（ZnO）材料的新的研究热潮.氧化锌（ZnO）以其优良的综合性能将成为下一代光电子材料，因此对氧化锌（ZnO）单晶的研究有重要的理论和实践意义。

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