氧化锌（ZnO）的带边发射在紫外区，氧化锌晶体价格，非常适宜作为白光LED的激发光源材料，凸显了氧化锌（ZnO）在半导体照明工程中的重要地位，并且与SiC、GaN等其它的宽带隙材料相比，氧化锌（ZnO）具有资源丰富、价格低廉、高的化学和热稳定性，更好的抗辐照损伤能力，适合做长寿命器件等多方面的优势。此外，氧化锌（ZnO）与GaN的物理性能非常接近，其晶格失配度很小，是GaN晶体生长zui理想的衬底材料。

目前，生长氧化锌（ZnO）单晶体的方法有CvT、助熔剂法、溶液法和水热法。采用水热法已经生长出2~3英寸的ZnO晶体，氧化锌晶体，这证明水热法是一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶体的有效的方法。氧化锌（ZnO）晶体随着环境条件的改变形成不同结构的晶体。ZnO晶体中的化学键既有离子键的成分，氧化锌晶体单晶衬底基片，又有共价键的成分，两种成分的含量差不多，因而使得ZnO晶体中的化学键没有离子晶体那么强，导致其在一定的外界条件下更容易发生晶体结构上的改变。

基于氧化锌（ZnO）的紫外激光器的实现掀起了对于传统的纤锌矿结构的半导体氧化锌（ZnO）材料的新的研究热潮.氧化锌（ZnO）以其优良的综合性能将成为下一代光电子材料，因此对氧化锌（ZnO）单晶的研究有重要的理论和实践意义。氧化锌（ZnO）晶体主要性能参数：透过范围：0.4-0.6 um > 50% at 2mm；晶向：<0001>、<11-20>、<10-10>±0.5o 尺寸（mm） 25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底。

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